Transistor de potencia NPN en silicio diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y media potencia. Soporta tensiones de hasta 500 V entre colector y base con corrientes de pico de 15 A, integrando tecnología de conmutación rápida que minimiza las pérdidas por switching. Su encapsulado TO-3PB garantiza disipación térmica eficiente y operación estable en entornos industriales exigentes. Especialmente indicado para fuentes conmutadas, inversores y equipos de ultrasonido donde la velocidad de respuesta y la confiabilidad térmica son críticas.

Características Principales

• Conmutación ultrarrápida: tiempo de encendido 0.5 μs, almacenamiento 1.5 μs, caída 0.15 μs
• Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad mecánica y térmica
• Resistencia térmica unión-carcasa de 1.56 °C/W
• Temperatura de unión máxima de 150 °C
• Voltaje de saturación colector-emisor de 1.0 V a 6 A
• Aplicaciones: reguladores SMPS, generadores ultrasónicos, inversores

Especificaciones Técnicas

Aplicaciones Típicas