Características
- Transistor P-Channel MOSFET de alta potencia
- Corriente máxima de drenaje de 20A
- Voltaje de ruptura VDS de 30V
- Baja resistencia RDS(on) de 0.025Ω
- Disipación de potencia de 100W
- Paquete TO-220 para fácil montaje
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Q 12.66
Precio sujeto a cambios.