Diodo Rectificador Schottky / 3A / 40V PIV / SMD DPAK / Ánodo Dual
Características
- Baja caída de tensión directa de 0.6V
- Conmutación rápida para alta frecuencia
- Paquete DPAK compacto para montaje superficial
- Ánodo dual para rectificación dual integrada
- Operación estable hasta +175°C de unión
- Corriente de sobrecarga no repetitiva de 75A
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Modelo: 863-MBRD340G
Marca: SYSCOM
Q 64.38
Precio sujeto a cambios.
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Diodo rectificador Schottky diseñado para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas y rectificación de alta eficiencia. Integra configuración de ánodo dual en encapsulado DPAK para montaje superficial, permitiendo implementaciones compactas de rectificación dual. Ofrece caída de tensión directa ultrabaja de 0.6V a corriente nominal, minimizando pérdidas por conducción. Su arquitectura Schottky garantiza velocidad de conmutación superior, ideal para frecuencias elevadas en convertidores DC-DC y supresores de retroceso.
Características Principales
- Baja caída de tensión directa: 0.6V (3A, +25°C)
- Voltaje inverso máximo (VR): 40V
- Encapsulado DPAK para montaje SMD
- Configuración de ánodo dual integrada
- Conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
- Rango de temperatura de unión: -65°C a +175°C
Especificaciones Técnicas
Corriente y Potencia
Corriente promedio rectificada: 3A (TC = +125°C)
Corriente de pico repetitiva: 6A (onda cuadrada, 50% duty cycle)
Corriente de sobrecarga no repetitiva: 75A (medio ciclo, 60Hz)
Corriente inversa de pico (IRRM): 1A (2μs, 1kHz)
Tensiones Eléctricas
Voltaje inverso pico máximo (VRRM): 40V
Tensión directa máxima (VF): 0.6V (3A, +25°C)
Tensión directa máxima (VF): 0.625V (6A, +125°C)
Corriente inversa máxima (IR): 0.2mA (40V, +25°C)
Mecánico y Térmico
Encapsulado: DPAK (TO-252AA)
Montaje: Superficial SMD
Temperatura de unión (TJ): -65°C a +175°C
Configuración: Ánodo dual