Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación.

Características Principales

• Tecnología MOSFET de canal N lateral
• Potencia de salida: 70 W a 470 MHz
• Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC
• Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz
• Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez
• Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
• Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
• Estabilidad térmica excelente
• Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
• Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas)

Especificaciones Técnicas

Aplicaciones

• Equipos de comunicación móvil FM
• Amplificadores de señal RF
• Equipos industriales y comerciales
• Sistemas de radiofrecuencia

Características de Diseño

• Estabilidad térmica excelente
• Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
• Información del amplificador de demostración disponible