Diodo de Silicon Epitaxial para TK2100/3102.

• Baja capacitancia.(C=0.8pF max)

• Baja resistencia hacia adelante. (rf=1,0 Ω máx.)

• El paquete plano ultrapequeño (UFP) es adecuado para el diseño de montaje en superficie.

Índices absolutos máximos

(Ta = 25°C)

Elemento Símbolo Valor Unidad

Pico de tensión inversa VRM 65 V

Voltaje inverso VR 60 V

Corriente directa IF 100 mA

Disipación de potencia Pd 150 mW

Temperatura de unión Tj 125 °C

Temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +125 °C

Características electricas

(Ta = 25°C)

Elemento Símbolo Mín. Tipo Máx. Unidad Condición de prueba

Corriente inversa IR 0.1 ìA VR = 60V

Tensión directa VF 1,0 V IF = 10 mA

Capacitancia C 0,8 pF VR = 1V, f = 1 MHz

Resistencia directa RF 1,0 Ù IF = 10 mA, f = 100 MHz