Lunes a Viernes 8:00 - 17:00 hrs / Sábado 8:00 - 12:00 hrs

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Características

MOSFET de canal P con 50 Voltios
Corriente continua de drenaje de 18 Amperios
Resistencia de drenaje a fuente máxima 0.14 Ohm
Disipación de potencia máxima 74 Watt
Capacitancia de entrada máxima 900 pF
ver más

Modelo: IRF9Z30

Marca: SYSCOM

Q 77.77

Precio sujeto a cambios.

Solicitar cotización

Descargas

IRF9Z30 SIHF9Z30

Especificaciones

Transistor de Potencia MOSFET

Tipo: Canal P
Voltaje: 50 Volt
Corriente: 18 Amp.
Rds: 0.14 Ohm
Potencia: 74 Watt
Paquete: TO-220AB
Aplicación: Analizador III

Características Técnicas

FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Especificaciones Adicionales

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
FET Feature: -
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Información del Paquete

Supplier Device Package: TO-220AB
Package / Case: TO-220-3
Base Product Number: IRF9Z30