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Ubicación

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Características

  • MOSFET de canal P con 50 Voltios
  • Corriente continua de drenaje de 18 Amperios
  • Resistencia de drenaje a fuente máxima 0.14 Ohm
  • Disipación de potencia máxima 74 Watt
  • Capacitancia de entrada máxima 900 pF
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Modelo: IRF9Z30

Marca: SYSCOM

Q 77.77

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SYSCOM

Descargas

IRF9Z30SIHF9Z30

Especificaciones

 

     Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

    

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF9Z30