MOSFET Canal-N / 500 V / 32 A / 0.15 Ω Rds(on) / TO-247AC / Conmutación >150 kHz
Características
- Baja resistencia de conducción de 0.15 Ω
- Paquete TO-247AC para disipación térmica eficiente
- Operación optimizada por encima de 150 kHz
- Compatible con conmutación dura y suave
- Ideal para fuentes de alimentación conmutadas
- Apto para sistemas UPS y convertidores de potencia
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Modelo: IRFP-32N-50KPBF
Marca: SYSCOM PARTS
Q 254.27
Precio sujeto a cambios.
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Este MOSFET de canal-N está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que exigen alta eficiencia y confiabilidad. Con una capacidad de 500 V y 32 A, integra tecnología avanzada que permite operar en frecuencias superiores a 150 kHz con mínimas pérdidas. Su baja resistencia Rds(on) de 0.15 Ω reduce significativamente la disipación térmica durante la conducción. El encapsulado TO-247AC facilita la extracción de calor hacia disipadores externos. Es compatible tanto con conmutación dura como suave, adaptándose a diversas topologías de convertidores.
Características principales
- Tensión de drenaje-fuente (VDSS): 500 V
- Corriente de drenaje continua (ID): 32 A
- Resistencia de conducción Rds(on): 0.15 Ω
- Encapsulado TO-247AC para disipación térmica eficiente
- Optimizado para conmutación de alta frecuencia (>150 kHz)
- Tecnología avanzada para conmutación dura y suave
Especificaciones técnicas
Tipo de canal
Canal-N
VDSS máxima
500 V
ID continua
32 A
Rds(on)
0.15 Ω
Encapsulado
TO-247AC
Frecuencia de conmutación
>150 kHz
Aplicaciones típicas
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
- Conmutación de potencia de alta velocidad
- Circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
- Convertidores de potencia DC-DC y DC-AC