Transistor Regulador de 12 Vcc, 1.5 Amp., TO-220-3
Características
- Regulación precisa de 12 VCC ±5%
- Corriente máxima de salida de 1.5 A
- Encapsulado TO-220-3 con disipación térmica eficiente
- Protección interna contra cortocircuitos y sobrecalentamiento
- Rechazo de rizado de 61 dB (típico)
- Operación estable con capacitor de salida de 0.1 µF
- ver más
Modelo: NJM-7812-FA-ND
Marca: SYSCOM
Q 25.69
Precio sujeto a cambios.
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Equipos Relacionados
Características Principales
- Regulación precisa de 12 VCC
- Corriente máxima de salida de 1.5 A
- Encapsulado TO-220-3 para disipación térmica eficiente
- Protección interna contra cortocircuitos
- Protección térmica contra sobrecalentamiento
- Compensación de área segura integrada
- Diseñado para aplicaciones de potencia media
Especificaciones Técnicas
- Tensión de entrada máxima: 35 V
- Rango de temperatura de almacenamiento: -40 a +150 °C
- Rango de temperatura de operación: -40 a +85 °C
- Temperatura de unión operativa: -40 a +150 °C
- Disipación de potencia (TO-220F): 16W (a ≤70°C)
- Corriente de entrada típica: 4.3 mA (sin carga)
- Coeficiente térmico de tensión de salida: -1.2 mV/°C
- Rechazo de rizado: 61 dB (típico)
- Ruido de salida: 75 μV (10Hz a 100kHz)
Aplicaciones Típicas
- Regulación de tensión en fuentes de alimentación
- Alimentación de circuitos digitales y analógicos
- Fuentes de alimentación de baja tensión
- Regulación local en placas de circuito
- Sistemas de alimentación de potencia media
- Aplicaciones industriales y de automatización
Consideraciones de Diseño
- Requiere disipador térmico para corrientes >1A
- Capacitor de entrada recomendado: 0.33μF
- Capacitor de salida recomendado: 0.1μF
- Conectar capacitores lo más cerca posible al regulador
- Evitar largas trazas de alimentación
- Considerar margen de voltaje en capacitores
- Verificar disipación térmica en diseño final
Conexiones del Encapsulado TO-220-3
- 1 (IN): Entrada de tensión no regulada
- 2 (GND): Conexión a masa
- 3 (OUT): Salida de tensión regulada
Tecnología
- Proceso planar epitaxial bipolar
- Construcción monolítica
- Compensación interna de área segura
- Protección contra condiciones extremas