TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
Características
- Transistor FET de alta potencia
- Voltaje máximo de 850V
- Corriente continua de 110A
- Disipación de potencia de 150W
- Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
- Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia
- ver más
Modelo: RD60-HUF1-101
Marca: MITSUBISHI
Q 1,746.80
Precio sujeto a cambios.
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Características
- Producto: TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
- Marca: MITSUBISHI
- Modelo: RD60HUF1101
- Modo: MEJORAR_BASICO