Lunes a Viernes 8:00 - 17:00 hrs / Sábado 8:00 - 12:00 hrs

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

  Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
  Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.  Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Características

  • Potencia de salida de hasta 84W típicamente
  • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
  • Cinta y carrete: 500 unidades disponible
  • Diodo integrado de protección para la puerta
  • Diseño para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
  • ver más

Modelo: RD70HUF2

Marca: RF PARTS

Q 1,217.29

Precio sujeto a cambios.
Solicitar cotización
RF PARTS

Descargas

Equipos Relacionados

 

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

DESCRIPCIÓN

RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.

CARACTERISTICAS

1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete

2. Empleando el paquete de molde

3. Alta potencia y alta eficiencia

Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz

Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz

4. Diodo integrado de protección de la puerta.

APLICACION

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.