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Ubicación

TRANSISTOR FET P/TK2302/3302

TRANSISTOR FET P/TK2302/3302
TRANSISTOR FET P/TK2302/3302

Características

  • Potencia de salida de +29.7 dBm a 520 MHz
  • Eficiencia de amplificación de 68% PAE
  • Voltaje máximo drenador-fuente de 16 V
  • Resistencia máxima en estado de drenador de 3.4 Ohm
  • Rango de temperatura máxima de unión de 150 °C
  • ver más

Modelo: RQA-0004-PXDQS

Marca: KENWOOD

Q 95.30

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KENWOOD

Descargas

RQA0004PXDQS_MOS.FET_transistor_D.S. for_TK-2302,3302

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Q 2,167.83
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Especificaciones


Silicon N-Channel MOS FET. Features. • High Output Power, High Efficiency. Pout = +29.7 dBm, PAE = 68% (f = 520 MHz).

Type Designator: RQA0004PXDQS

Marking code: PX

Type of RQA0004PXDQS transistor: MOSFET

Type of control channel: N -Channel

Maximum power dissipation (Pd), W: 3

Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 16

Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 5

Maximum drain current |Id|, A: 0.3

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Rise Time of RQA0004PXDQS transistor (tr), nS:

Drain-source Capacitance (Cd), pF: 5

Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 3.4

Package: UPAK