Puente Rectificador / 6 A / 600 V PIV / 420 V RMS / Silicio / -55°C a +150°C
Características
- Corriente continua de 6 A para fuentes de potencia medianas
- Tensión inversa de pico de 600 V con margen para aplicaciones industriales
- Silicio de alta eficiencia con caída de voltaje directo de 1.1 V
- Sobrecorriente de pico de 150 A para protección ante transitorios
- Resistencia térmica de 3.1°C/W para disipación controlada
- Montaje en cualquier posición con terminales de plata sobre cobre
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Modelo: RS-605
Marca: SYSCOM
Q 40.33
Precio sujeto a cambios.
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Equipos Relacionados
Puente rectificador monofásico de silicio diseñado para aplicaciones de conversión de potencia AC-DC en equipos industriales, fuentes de alimentación y sistemas de control electrónico. Soporta corrientes continuas de hasta 6 A con una tensión inversa de pico de 600 V, proporcionando margen de seguridad para operación en redes con perturbaciones transitorias. La construcción en silicio con terminales de plata sobre cobre garantiza baja resistencia de contacto y estabilidad térmica en el rango operativo de -55°C a +150°C. La resistencia térmica junction-case de 3.1°C/W permite cálculos precisos de disipador requerido según las condiciones de carga y ambiente de instalación.
Características Generales
- • Capacidad de corriente: 6 A continua
- • Tensión de pico inverso (VRRM): 600 V
- • Tensión eficaz (VRMS): 420 V
- • Material semiconductor: Silicio
- • Caída de voltaje directo (VF): 1.1 V
- • Corriente de sobrecarga no repetitiva (IFSM): 150 A pico
- • Valor I²t: 93.3 A²/s
- • Corriente inversa (IR): 5.0 μA
- • Temperatura de operación: -55°C a +150°C
- • Clasificación UL 94V-0, componente reconocido (archivo #94233)
- • Montaje en cualquier posición
Desempeño Eléctrico
| VRRM (tensión repetitiva inversa máxima) | 600 V |
| VRMS (tensión eficaz) | 420 V |
| VDC (tensión directa continua) | 600 V |
| IO (corriente de salida continua) | 6.0 A |
| IFSM (corriente de sobrecarga pico) | 150 A |
| I²t (valor térmico de fusión) | 93.3 A²/s |
| VF (caída de voltaje directo) | 1.1 V |
| IR (corriente inversa máxima) | 5.0 μA |
Físicas y Térmicas
| Material semiconductor | Silicio |
| Terminales | Plata sobre cobre |
| RθJC (resistencia térmica junction-case) | 3.1 °C/W |
| RθJA (resistencia térmica junction-ambiente) | 8.6 °C/W |
| Temperatura de operación | -55°C a +150°C |
| Clasificación de flamabilidad | UL 94V-0 |
| Posición de montaje | Cualquier posición |
Certificaciones
| UL reconocido | Archivo #94233 |