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FET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje Superficial

FET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje Superficial
FET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje SuperficialFET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje SuperficialFET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje Superficial

Características

  • FET de potencia para IC-M506 (RA33H1516M1-325)
  • Diseñado para equipos de comunicación marina
  • Alta eficiencia energética y bajo consumo
  • Compatibilidad con sistema IC-M506 de Icom
  • Construcción robusta para entorno marino
  • ver más

Modelo: 115-0002-510

Marca: ICOM

Q 1,170.81

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ICOM

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Especificaciones

El FET de Potencia RA33H1516M1-325 es un transistor de efecto de campo de alta potencia diseñado específicamente como componente de repuesto para el equipo de comunicaciones marítimas IC-M506. Este dispositivo semiconductor ofrece excelente rendimiento en aplicaciones de conmutación de potencia, proporcionando alta eficiencia y confiabilidad en sistemas de radio marítima.

Características Principales

  • Componente de repuesto específico para equipos IC-M506 de comunicaciones marítimas
  • Transistor de efecto de campo (FET) de alta potencia
  • Corriente máxima de 15A para manejo de cargas significativas
  • Tecnología de montaje superficial para integración en PCB
  • Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia en equipos de radio
  • Alta eficiencia y bajo consumo de potencia
  • Compatibilidad total con el circuito original del IC-M506

Detalles Técnicos

Especificaciones

  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 325V
  • Corriente de drenaje continua (Id): 15A
  • Tipo de encapsulado: Montaje superficial (SMD)
  • Tensión umbral puerta-fuente: Específica del modelo
  • Resistencia térmica: Optimizada para disipación
  • Temperatura de operación: -55°C a +150°C
  • Material del semiconductor: Silicio

Interfaces y Conectividad

  • Terminales: 3 pines (Drenaje, Fuente, Puerta)
  • Compatibilidad eléctrica con circuitos IC-M506
  • Diseño para soldadura superficial en PCB
  • Patrón de pines estándar para montaje SMD
  • Compatibilidad con procesos de soldadura por reflujo

Aplicaciones y Casos de Uso

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