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Ubicación

Transistor de Potencia NPN de Silicon, 100 Vce, 1 Amp. 30 Watt, TO-220.

Transistor de Potencia NPN de Silicon, 100 Vce, 1 Amp. 30 Watt, TO-220.
Transistor de Potencia NPN de Silicon, 100 Vce, 1 Amp. 30 Watt, TO-220.

Características

  • Transistor de potencia NPN de silicio
  • Voltaje de ruptura Vce hasta 100V
  • Corriente máxima de colector 1 Amp
  • Potencia máxima de disipación 30 Watt
  • Encapsulado TO-220 para fácil montaje
  • ver más

Modelo: TIP-29C

Marca: SYSCOM

Q 45.57

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SYSCOM

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Especificaciones

Transistor de Potencia NPN de Silicon, 100 Vce, 1 Amp. 30 Watt, TO-220.

Características técnicas

  • Tipo: Transistor NPN de potencia
  • Material: Silicon
  • Tensión colector-emisor (Vce): 100V
  • Corriente de colector (Ic): 1A
  • Potencia de disipación: 30W
  • Encapsulado: TO-220

Aplicaciones típicas

  • Amplificadores de audio de potencia
  • Reguladores de tensión lineales
  • Control de motores DC
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Sistemas de conmutación de potencia
  • Circuitos de control industrial
Especificaciones eléctricas
  • Vceo: 100V
  • Ic (cont.): 1A
  • Ic (pico): 3A
  • Pd: 30W
  • hFE: 15-75
  • Vbe(sat): 1.5V máx.
Características térmicas
  • Rth(j-a): 62.5°C/W
  • Tj máx.: 150°C
  • Tc máx.: 150°C
  • Almacenamiento: -65°C a 150°C
Consideraciones de diseño
  • Requiere disipador térmico adecuado
  • Compatibilidad con montaje PCB
  • Aislamiento eléctrico recomendado
  • Considerar derating térmico
  • Protección contra sobrecorriente

Información técnica

  • Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación y amplificación
  • Encapsulado TO-220 para montaje con disipador
  • Adecuado para circuitos lineales y conmutados
  • Compatibilidad con estándares industriales

Consideraciones de integración

  • Verificar compatibilidad con circuitos driver
  • Dimensionar disipador según aplicación
  • Considerar márgenes de seguridad eléctrica
  • Evaluar requerimientos de refrigeración